| 发明名称 | 薄膜电极及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制备电极的转印薄膜，其包含(a)底衬层及(b)至少一层涂料层，其位于该底衬层上，且包含粘结剂及填料，其中该涂料层具有约2至40约微米的厚度。本发明还涉及一种制备薄膜电极的方法，其包含(1)提供一基材；(2)将上述转印薄膜置于该基材上，其中该涂料层介于该底衬层与该基材之间；(3)使该涂料层转印于该基材上；及(4)移除该底衬层以形成薄膜电极。本发明还涉及一种由上述方法所制得的薄膜电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103310991A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310146263.9 | 申请日期 | 2013.04.24 |
| 申请人 | 长兴化学工业股份有限公司 | 发明人 | 叶威廷;蔡安益 |
| 分类号 | H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种用于制备电极的转印薄膜，其包含：(a)底衬层；及(b)至少一层涂料层，其位于该底衬层上，且包含粘结剂及填料，其中该涂料层具有约2至约40微米的厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄巿三民区建工路五七八号 | ||