一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置

摘要

本发明涉及一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。本发明有益的效果是：本发明结构通过结合三极管的温度特性和NTC热敏电阻，对LDMOS管子的温度效应实现较好的抑制作用，针对现有LDMOS管的特性，提供一种具有温度补偿机制的，可使大功率射频LDMOS放大器在不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的目的。

主权项

一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是：电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。