用于集成MEMS-CMOS装置的方法和结构

摘要

一种用于制造集成MEMS-CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。

主权项

一种用于制造集成的MEMS‑COMS装置的方法，包括：提供具有表面区的基板构件；形成上覆盖所述表面区的CMOS IC层，所述CMOS IC层具有至少一个CMOS装置；形成上覆盖所述CMOS IC层的MEMS层，所述MEMS层具有MEMS接触区、CMOS接触区以及至少一个MEMS装置，其中所述至少一个MEMS装置耦合至所述MEMS接触区，并且所述至少一个CMOS装置耦合至所述CMOS接触区，所述至少一个MEMS装置与所述至少一个CMOS装置未耦合；以及经由MEMS跳线结构将所述MEMS接触区和所述CMOS接触区耦合，所述MEMS跳线结构将所述至少一个MEMS装置与所述至少一个CMOS装置电耦合。