一种静电保护器件

摘要

本发明公开了一种静电保护器件，包括：2N个并列形成于一P阱上NMOS结构，所述并列NMOS结构的最外侧为源区，所述最外侧源区的外侧形成有P型有源区，相邻的NMOS结构之间共源区/共漏区，N≥1；每个NMOS结构包括：一栅极和两隔离侧墙，形成于所述P阱上；一源区，位于所述栅极一侧NLDD注入区中，所述NLDD注入区位于所述P阱中；一漏区，位于所述栅极另一侧所述NLDD注入区中；本器件栅极、源区和P型有源区均接地，漏区均连接到输入输出焊垫端；其中，共漏区上方形成有NLDD注入阻挡区，以阻挡在此区域下方形成的NLDD注入区。本发明的静电保护器件能降低静电保护器件的开启电压，防止由于栅氧击穿导致的器件失效，提高静电保护器件的静电承受能力。

主权项

一种静电保护器件，包括：2N个并列形成于一P阱上NMOS结构，所述并列NMOS结构的最外侧为源区，所述最外侧源区的外侧形成有P型有源区，相邻的NMOS结构之间共源区/共漏区，N≥1；每个NMOS结构包括：一栅极和两隔离侧墙，形成于所述P阱上；一源区，位于所述栅极一侧NLDD注入区中，所述NLDD注入区位于所述P阱中；一漏区，位于所述栅极另一侧所述NLDD注入区中，所述NLDD注入区覆盖部分所述漏区；本器件栅极、源区和P型有源区均接地，漏区均连接到输入输出焊垫端；其特征是：共漏区上方形成有NLDD注入阻挡区，以阻挡在此区域下方形成的NLDD注入区。