| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管，包括SOI衬底、SOI衬底上的鳍形的栅极堆叠结构、SOI衬底中栅极堆叠结构两侧的源漏区以及源漏区之间的沟道区，源漏区与沟道区沿第一方向延伸，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其特征在于：源漏区为金属硅化物，源漏区与沟道区之间的界面处还包括掺杂离子分凝区。依照本发明的新型FinFET器件及其制造方法，通过对FinFET的金属硅化物源漏注入掺杂离子并退火驱动使其分凝在沟道区界面处，有效降低FinFET源漏电阻，同时又降低了肖特基势垒高度，从而提高驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103311294A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210067622.7 | 申请日期 | 2012.03.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尚海平;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管，包括SOI衬底、SOI衬底上的鳍形的栅极堆叠结构、SOI衬底中栅极堆叠结构两侧的源漏区以及源漏区之间的沟道区，源漏区与沟道区沿第一方向延伸，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，源漏区沿第二方向的宽度要大于沟道区沿第二方向的宽度且小于栅极堆叠结构沿第二方向的宽度，其特征在于：源漏区为金属硅化物，源漏区与沟道区之间的界面处还包括掺杂离子分凝区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||