| 发明名称 | 一种快恢复二极管芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种快恢复二极管芯片，属于整流二极管领域。包括N+层和P+层，还包括设置在N+层和P+层之间的用于电流漂移的N型层。采用本实用新型的二极管芯片，具有正、反向恢复时间短，抗反向击穿电压高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN203205428U | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201220666111.2 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 乐山嘉洋科技发展有限公司 | 发明人 | 邓华鲜 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人 | 毛光军 |
| 主权项 | 一种快恢复二极管芯片，包括N+层（1）和P+层（2），其特征在于：还包括设置在N+层（1）和P+层（2）之间的用于电流漂移的N型层（3）。 | ||
| 地址 | 614000 四川省乐山市高新区建业大道2号 | ||