| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：衬底；以及栅线，形成在所述衬底之上，其包括第一导电层和位于所述第一导电层中的一个或多个第二导电图案层。第二导电图案层包括金属层以由此减少栅线的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103311251A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210457470.1 | 申请日期 | 2012.11.14 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李起洪;皮昇浩;权日荣 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;郭放 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；以及栅线，形成在所述衬底之上，包括第一导电层和位于所述第一导电层中的一个或多个第二导电图案层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||