可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器的制造方法

摘要

本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器的制作方法，包括下列步骤：在一第一型基板中定义一第一区域与一第二区域；在该第一区域中形成一第二型阱区；在该第一区域的表面上形成一第一栅极氧化层与一第二栅极氧化层，其中该第二栅极氧化层延伸并相邻于该第二区域；蚀刻位于该第二区域上的该第二栅极氧化层；在该第一栅极氧化层与该第二栅极氧化层上形成二个多晶硅栅极；以及在该第二区域中形成一第二型掺杂区以及在该第二型阱区中形成多个第一型掺杂区。

主权项

一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器的制作方法，包括下列步骤：形成一浮动栅极晶体管的栅极氧化层；将该浮动栅极晶体管的一通道区域上方定义为该栅极氧化层的一第一部分，其中在一编程状态时，多个载流子将通过该第一部分而注入于该浮动栅极晶体管；定义该栅极氧化层的一第二部分，其中在一抹除状态时，该些载流子将通过该第二部分而退出该浮动栅极晶体管；以及在该栅极氧化层上形成一多晶硅栅极；其中，该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。