多晶硅铸锭炉氩气环流排杂装置

摘要

本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉氩气环流排杂装置，它由C-C热场上、下保温框，氩气导管，石英坩埚，氩气导流板，挡流盖板，氩气主导流筒构成，其由上下保温框组成的一个密闭可控温度场，氩气导流板与挡流盖板通过螺栓一次性固定于上保温框上，保温框的四周分别设有24个氩气导管，石墨护板与石英坩埚组合置于下保温框上，氩气主导流筒置于上保温框顶部中心位置，底部呈开口状，在硅料熔化阶段，硅液由于对流作用在表面处挥发出大量杂质气体，硅料完全溶化后硅液表面距离氩气盖板距离约为20cm，氩气压力为4～5bar，氩气从氩气主导流筒进入热场到达硅液表面后迅速均匀向四周扩散，对硅液表面进行一次吹扫，然后携带杂质气体向上运动到挡流盖板，经氩气导流板与挡流盖板共同作用从氩气导管排除，最后被真空泵抽出炉腔，达到带走杂质的目的。

主权项

一种多晶硅铸锭炉氩气环流排杂装置，它包括：C‑C热场上(1)、下保温框(5)，氩气导管(2)，石墨护板(3)，石英坩埚(4)，氩气导流板(6)，挡流盖板(7)，氩气主导流筒(8)，其特征在于：C‑C热场是由上保温框(1)和下保温框(5)组成的一个密闭可控温度场，氩气导流板(6)与挡流盖板(7)通过C‑C螺栓一次性固定于C‑C热场上保温框(1)上，在C‑C热场保温框(1)的四周，分别设有氩气导管(2)，氩气导管(2)的一端安装在氩气导流板(6)与挡流盖板(7)中间，另一端穿通上保温框(1)，石墨护板(3)与石英坩埚(4)组合置于C‑C热场下保温框(5)上，氩气主导流筒(8)置于上C‑C热场上保温框(1)顶部中心位置，底部呈开口状。