发明名称 |
薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种薄膜晶体管像素结构以及亮点修复方法,涉及液晶显示领域,提高了亮点缺陷修复的成功率,使得亮点缺陷修复效果更好。本发明实施例的薄膜晶体管像素结构,薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层,薄膜晶体管像素结构还包括设置在像素电极层与第一绝缘层之间的第一导电层,第一导电层与像素电极层电连接。 |
申请公布号 |
CN103309104A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201310268691.9 |
申请日期 |
2013.06.28 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
胡海琛;郤玉生;王明超 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种薄膜晶体管像素结构,所述薄膜晶体管像素结构包括栅电极层、像素电极层以及位于两者之间的第一绝缘层,其特征在于,所述薄膜晶体管像素结构还包括设置在所述像素电极层与所述第一绝缘层之间的第一导电层,所述第一导电层与所述像素电极层电连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |