| 发明名称 | 一种CMOS晶体管及其多晶硅栅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例涉及半导体器件的制造领域，特别涉及一种CMOS晶体管及其多晶硅栅的制造方法，用于解决现有技术中存在的采用现有制作多晶硅栅工艺制得的CMOS晶体管的驱动电流较小的问题。本发明实施例的多晶硅栅的制造方法包括：在615℃～635℃的淀积温度下，采用低压化学气相淀积在衬底上形成多晶硅；在870℃～930℃的扩散温度下，对所述多晶硅进行扩散掺杂处理，形成含有杂质的多晶硅。采用本发明实施例的制造方法制得的多晶硅栅能够提高了CMOS晶体管的驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103311108A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210062299.4 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 徐顺强;张枫;陈建国 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅的制造方法，其特征在于，该方法包括：在615℃～635℃的淀积温度下，采用低压化学气相淀积在衬底上形成多晶硅；在870℃～930℃的扩散温度下，对所述多晶硅进行扩散掺杂处理，形成含有杂质的多晶硅。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||