| 发明名称 | 边发射半导体激光器芯片 | ||
| 摘要 | 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。 | ||
| 申请公布号 | CN102224647B | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN200980146859.0 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 克里斯蒂安·劳尔;哈拉尔德·科尼格;沃尔夫冈·赖尔;尤伟·斯特劳斯 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 许伟群;郭放 |
| 主权项 | 一种边发射半导体激光器芯片（1），其具有半导体本体（100），其包括至少一个有源区（14），在所述有源区中在半导体激光器芯片（1）工作时产生电磁辐射（10），至少一个接触带（2），其被设置在所述半导体本体（100）的上侧上的盖面（1a）上，以及至少两个限制结构（4），用于限制在所述接触带（2）与所述有源区（14）之间的电流扩展，其中所述限制结构（4）被设置在所述接触带（2）的两侧，其中限制结构（4）以至少为10％并且至多为90％的填充因数设置在接触带（2）的两侧。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||