半导体器件及其制作方法

摘要

公开了一种沟槽接触型垂直分立器件及其制作方法。在一个实施例中，本发明涉及垂直分立器件，该垂直分立器件的沟槽在其顶面，沟槽内填充导电材料。垂直分立器件的漏极或阴极电连接至器件的顶面，因此其面积较小，且RON×AREA值也较小。

主权项

一种半导体器件，包括：垂直器件，所述垂直器件的衬底在底面，且具有与底面相对的顶面，其中，所述衬底作为漏区，且在所述的顶面具有漏板；在器件顶面上的多个栅区和具有第一掺杂类型的多个源区，所述衬底为第一掺杂类型；以及沟槽，形成在两个源区之间和两个栅区之间，并与所述两个源区接触，从所述顶面延伸至所述底面衬底，且与所述衬底的底面不接触，采用导电材料填充所述沟槽，其中，所述沟槽电连接所述衬底和所述漏板。