用于等离子体增强的化学气相沉积和斜边蚀刻的系统

摘要

本发明的实施例涉及一种整合基板边缘处理能力的基板处理系统。所述处理系统的实例包括但不限于一制造界面、一加载互锁真空室、一传送腔室以及一或多个双处理腔室，其中该双处理腔室具有两个或多个可彼此相互隔离，且共享同一气体供应件与同一排气泵的处理区域。在每一双处理腔室中的处理区域包含独立的气体分布组件与RF功率源，以在每一处理区域中基板表面上的选择区域提供等离子体。每一双处理腔室因而设置成能于处理区域中的至少两个基板上同时进行多个经隔离的处理。

主权项

一种处理多片基板的装置，包括：一加载互锁真空室；一传送腔室，耦合至所述加载互锁真空室；以及一个或多个双处理腔室，耦合至所述传送腔室，其中各双处理腔室限定两个独立的处理区域，且各处理区域包括：一基板支撑件，具有基板支撑表面；一等离子体产生器，经配置以将等离子相的蚀刻剂提供至所述基板支撑表面的周边区域；以及一气体传送组件，包括连接至可开关切换的功率源的气体碗，其中所述气体碗包括：外壁；内壁；以及底部，其中所述外壁、所述内壁以及所述底部形成第一空间，所述第一空间经由第一入口埠而与第一气体源连接，穿过所述底部的周边边缘区域形成有多个狭缝，所述多个狭缝将所述第一空间与所述处理区域相连，所述内壁和所述底部的穿孔部分形成第二空间，所述第二空间被所述第一空间围绕，所述第二空间经由第二入口埠而与第二气体源连接，并且穿过所述底部的所述穿孔部分形成有多个孔洞，所述多个孔洞将所述第二空间与所述处理区域相连。