| 摘要 |
Sposób polega na tym, ze w trakcie osadzania warstwy weglowej na implancie utrzymuje sie temperature w granicach 200 - 550°C, przy potencjale autopolaryzacji od - 600 V do - 1200 V i jednoczesnie wprowadza sie do komory gaz weglonosny, korzystnie metan oraz pary zwiazków krzemoorganicznych, korzystnie pochodne alifatyczne silanów lub siloksanów, w takich ilosciach aby stosunek zawartosci zwiazku krzemoorganicznego do metanu zawieral sie w zakresie od 1:25 do 1:1, cisnienie w komorze reaktora wynosilo od 30 Pa do 60 Pa, a czas procesu wynosil 3 - 6 minut.
|
