| 摘要 |
一种制备基础衬底上方的超级结半导体装置电荷平衡的多奈米壳漂移区的方法。该方法不会产生高热耗散并且产量更高。多-奈米壳漂移区带有多个交替、基本电荷平衡的第一导电类型和第二导电类型以及高度为NSHT的同心的奈米壳组件NSM1、NSM2、. . 、NSMi、. . 、NSMM (M>1) 。首先，在基础衬底上方形成一个体状漂移层。在体状漂移层的顶面内，制备一个大体垂直的空穴，其形状和尺寸是预先设置的，深度为NSHT。在垂直空穴内部先后形成壳元件NSM1、NSM2、. . 、NSMM，首先在垂直空穴的垂直侧壁上，然后移向中心，以便一个接一个地填充垂直空穴，直到仍然有剩余空间为止。通过形成半绝缘或绝缘的填充式奈米板，填满剩余空间。 |
