具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法

摘要

一种具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法包含以下步骤：首先，制备一第一基板，接着，于该第一基板上形成一氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≦x≦3.5，而后，于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一磊晶结构层，利用移除该氧化镓牺牲层来保持该磊晶结构层的品质与性能，而由于该氧化镓牺牲层结晶特性弱，因此该氧化镓牺牲层容易被移除，提高整体制程效率。