双多晶矽快闪记忆体之堆叠式电容器

摘要

提供一种双多晶矽快闪记忆体之堆叠式电容器。此堆叠式电容器是由下电极、下介电层、中电极、上介电层及上电极所组成，其中下电极为基底中之掺杂区域。此堆叠式电容器的制程能完整地整合于双多晶矽快闪记忆体的制程中。