发明名称 镓(Ga)-68/锗(Ge)-68发生器固体靶制程参数评估方法
摘要 一种镓(Ga)-68/锗(Ge)-68发生器(Generator)固体靶制程参数评估方法,主要系先计算固体靶靶面所镀上之镓(Ga)-69厚度d;再经由一具有5组不同入射能量(30、26、25、24、23MeV)之69Ga(p,2n)68Ge靶厚度与入射能量衰减曲线图中,依该电镀厚度d位置,分别取得各组衰减后之相对照射能量值Yi,另由一69Ga(p,2n)68Ge入射能量与反应截面积曲线图(具有锗-68、镓-68、锌-65等入射能量与反应截面积修正函数曲线),依该照射能量值Xi与相对照射能量值Yi所界定之范围,分别取得不同入射能量时之锗(Ge)-68、镓(Ga)-68、锌(Zn)-65等各组核反应截面积,并依各组核反应截面积之组合计算其平均反应截面积(MRA,mean reaction areas),最后选取最大之锗(Ge)-68平均反应截面积值与最小之镓(Ga)-68与锌(Zn)-65平均反应截面积值,则产生该组之各平均反应截面积值所需之预设照射能量,即为最佳反应能量。
申请公布号 TWI408700 申请公布日期 2013.09.11
申请号 TW098129346 申请日期 2009.09.01
申请人 行政院原子能委员会核能研究所 桃园县龙潭乡文化路1000号 发明人 李铭忻;杜定贤;林武智
分类号 G21F1/08;G21F5/015 主分类号 G21F1/08
代理机构 代理人 林金东 台北市大安区罗斯福路2段79号5楼
主权项
地址 桃园县龙潭乡文化路1000号