使用选择式磊晶成长制造横向接面场效电晶体的方法

摘要

本发明说明制造半导体装置(例如横向接面场效电晶体(JFET))的方法。该等方法会自我对准并且涉及使用者用再成长遮罩材料进行选择式磊晶成长，用以形成该装置的闸极区或源极/汲极区。该等方法能够省略离子植入的需求。该装置可能系由宽能带间隙的半导体材料(例如SiC)所制成。该再成长遮罩材料可能为TaC。该等装置可以使用在恶劣的环境中，其包含涉及曝露于辐射及/或高温中的应用。