半导体装置的制造方法及基板处理装置

摘要

本发明系形成化学计量上矽对于氮过量之氮化矽膜。;藉由交互重复以下步骤而形成化学计量上矽对于氮过量之氮化矽膜：在产生CVD反应的条件下，对于基板供给二氯矽烷，在基板上形成数原子层以下之矽膜的步骤；及在无电浆的气氛下，对于基板供给氨，在矽膜之氨所产生之氮化反应不饱和的条件下，使矽膜热氮化的步骤。