用于在三维堆叠装置上致能静电放电保护之系统与方法

摘要

一种静电放电(ESD)保护装置制造于一位于堆叠半导体晶粒之作用层之间的垂直空间中，藉此利用否则将仅用于通信目的之空间。矽穿孔之垂直表面区域用于吸收由ESD事件引起之大电压。在一实施例中，一ESD二极体形成于一位于一堆叠装置之该等半导体晶粒之作用层之间的垂直TSV中。此ESD二极体可由该堆叠之两个半导体晶粒上之电路共用，藉此节省空间及减少ESD保护电路所需的晶粒面积。