发明名称 |
具奈米晶矽质及微晶矽质之薄膜太阳能电池 |
摘要 |
一种具奈米晶矽质及微晶矽质之薄膜太阳能电池,其主要包括有一基板、第一导电膜、P-i-N型半导体结构层、第二导电膜以及一上电极;该P-i-N型半导体结构层系具有一P型半导体层、本质型(i型)半导体层及一N型半导体层;其中,该本质型(i型)半导体层系由复数奈米晶矽质薄膜层及至少一微晶矽质薄膜层交错堆叠而成,利用该本质型(i型)半导体层,可有效提升可见光及红、紫外光谱光子的吸收范围及电子迁移率,以确保有效提升各项电性特性,进而达到提高太阳能电池光转换效率的目的。 |
申请公布号 |
TWI408821 |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
TW098142586 |
申请日期 |
2009.12.11 |
申请人 |
财团法人金属工业研究发展中心 高雄市楠梓区高楠公路1001号 |
发明人 |
陈庆隆;翁敏航;吴春森 |
分类号 |
H01L31/042;H01L31/075 |
主分类号 |
H01L31/042 |
代理机构 |
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代理人 |
陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号;康清敬 台北市大安区敦化南路2段77号19楼 |
主权项 |
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地址 |
高雄市楠梓区高楠公路1001号 |