发明名称 具静电放电保护能力之光电半导体封装结构
摘要 本发明揭露一种具静电放电保护能力之光电半导体散热封装结构,其封装基底系为一半导体基板/金属层/反射层/绝缘层/电路层结构,而部份之封装基底结构更可在反射层与绝缘层之间增设一共晶层,其中,绝缘层是藉由半导体制程方式所制作,具有薄且平坦的特性,因此,可以提高光电半导体元件封装制程中之良率,再者,绝缘层的厚度可以有效地予以控制,可提升封装基底之电容特性,使抗静电的能力大幅改善,另外,利用低熔点合金作为共晶层与半导体基板蚀刻,来达到发光二极体散热目的,由于封装基底的绝缘层与电路层之间设有反射层,将有助于光电半导体元件之出光效率之提升。
申请公布号 TWI408838 申请公布日期 2013.09.11
申请号 TW100116081 申请日期 2011.05.09
申请人 长庚大学 桃园县龟山乡文化一路259号 发明人 张连璧;颜宇键
分类号 H01L33/48;H01L33/44 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项
地址 桃园县龟山乡文化一路259号