半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种含高介电常数金属闸极结构之半导体元件的制造方法。提供一包含虚置闸极结构(例如牺牲多晶矽闸极)的基材，一第一及第二硬罩幕层位于此虚置闸极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬罩幕层。形成一源/汲极区，接着在此基材上形成一层间介电层(ILD)。在进行一化学机械研磨(CMP)制程平坦化此层间介电层时，可用此第一硬罩幕层作为停止层。此化学机械研磨制程可持续进行以移除此第一硬罩幕层。移除此虚置闸极结构并形成一金属闸极。