一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺

摘要

本发明公开了一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，然后将多孔硅经烯烃和烯酸进行表面改性，在硅颗粒表面引入了Si-C键。与未经表面改性处理的多孔硅相比，改性后多孔硅颗粒的光致发光强度有了明显增强；同时，硅颗粒在极性和非极性溶剂中的发光稳定性大大提高，发光强度随时间延长而衰减现象得到的有效改善；此外，包覆烯酸分子的硅颗粒在极性溶剂中的分散性能良好。本发明工艺简单，方便操作并且适合大规模生产，具有很强的工业应用前景。

主权项

一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺，其特征在于，包括如下步骤:（1）将多孔硅材料经研磨得到粒径为2nm～200nm的多孔硅颗粒；（2）用稀释的氢氟酸溶液对多孔硅颗粒进行处理，除去多孔硅硅颗粒表面的Si‑O键，生成Si‑H键；（3）将烯烃与有机溶剂混合均匀，用氮气或氩气进行鼓泡处理，鼓泡时间1～3小时；（4）通过离心将步骤（2）中的多孔硅颗粒与稀释的氢氟酸溶液分离，将分离后的多孔硅颗粒倒入步骤（3）得到的溶液中，在不超过烯烃和有机溶剂沸点的温度下反应0.5～30小时，反应过程中持续通入氮气或氩气鼓泡；（5）向（4）中加入烯酸，在不超过烯酸和有机溶剂沸点的温度下加热或在紫外光照射下反应3～30小时。