发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。能够以较小的偏差可靠地将多个引线框架激光焊接,并且能够提高摄像机的视觉辨认度,从而降低焊接预定部位的检测错误。通过使各引线框架(10、11)的轧痕(19)的方向(轧制方向)一致,能够使各引线框架(10、11)均匀地吸收激光(14),能够降低各引线框架(10、11)上的激光焊接的偏差。其结果是,能够减少焊接数量,能够实现降低制造成本。另外,通过使各引线框架(10、11)的轧痕(19)的方向(轧制方向)一致,能够降低来自各引线框架(10、11)的反射光的强度偏差,因此能够提高摄像机(25)的视觉辨认度,从而能够降低焊接预定部位的检测错误。
申请公布号 CN103299420A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201180064314.2 申请日期 2011.11.14
申请人 富士电机株式会社 发明人 宫坂利幸
分类号 H01L25/07(2006.01)I;B23K26/04(2006.01)I;B23K26/20(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种半导体器件,其特征在于,具有:散热基座;通过焊锡固着于所述散热基座上的带导电图案的绝缘基板;通过焊锡固着于所述带导电图案的绝缘基板的导电图案的半导体芯片;通过焊锡固着于所述半导体芯片上的第一导体;利用粘接剂固着于所述散热基座的树脂外壳;和通过激光焊接与所述第一导体固着的第二导体,所述第二导体通过轧制加工而形成,在其表面具有沿着轧制方向形成为肋状的轧痕,所述第二导体使所述轧痕的方向一致地配置于所述第一导体上。
地址 日本神奈川县川崎市