| 发明名称 | 形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成铜金属互连线；以及在所述半导体衬底上未被所述铜金属互连线覆盖的区域形成层间介电层，所述层间介电层是由低k材料或超低k材料形成的。根据本发明的方法通过在铜金属互连线之后再形成低k材料和超低k材料形成的层间介电层来避免层间介电层受到损伤而影响其介电常数，进而避免给半导体器件带来串扰问题和RC延迟问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103295954A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201210046596.X | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王冬江 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上形成铜金属互连线；以及在所述半导体衬底上未被所述铜金属互连线覆盖的区域形成层间介电层，所述层间介电层是由低k材料或超低k材料形成的。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||