具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚

摘要

本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明中，同一生长周期可以同时生长多个碳化硅单晶体。采用本发明的坩埚设计来生长碳化硅单晶，可以有效提高生长效率、节约生长时间、压缩晶体成本。与传统方法相比较，同样的设备配置前提下，将单晶生长效率提高2～3倍。

主权项

一种基于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚，其特征在于，所述坩埚是多生长腔结构。