锗硅BiCMOS工艺中的可变电容及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的可变电容，包括：N阱和P型多晶硅层。N阱形成于有源区中并和浅槽场氧底部的赝埋层相连并通过一深孔接触引出。多晶硅层形成于N阱上方并和N阱形成接触并形成一单边突变结，由所述单边突变结组成可变电容。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的可变电容的制造方法。本发明能改善可变电容的电压系数、提高可变电容的性能并能满足射频产品对可变电容的性能要求，能和锗硅BiCMOS工艺兼容并降低成本。

主权项

一种锗硅BiCMOS工艺中的可变电容的制造方法，其特征在于,包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成浅槽场氧的沟槽和有源区；步骤二、在所述沟槽的底部进行N型离子注入形成一赝埋层；步骤三、在所述沟槽中填入氧化硅形成所述浅槽场氧；步骤四、在所述有源区中进行N型离子注入形成一N阱，所述N阱的深度大于所述浅槽场氧底部的深度，所述赝埋层和所述N阱在所述浅槽场氧的底部形成接触；步骤五、在所述硅衬底表面上淀积多晶硅层，对所述多晶硅层进行刻蚀使所述多晶硅层覆盖于所述N阱上并横向延伸到所述N阱周侧的所述浅槽场氧上；采用离子注入工艺对所述多晶硅层进行P型掺杂，且所述多晶硅层的掺杂浓度大于所述N阱的掺杂浓度；所述多晶硅层和所述N阱相接触并形成一单边突变结，由所述单边突变结组成可变电容；步骤六、在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成一和所述赝埋层相接触的深孔接触，所述深孔接触为所述阱区的引出电极；在所述多晶硅层的上方形成金属接触，所述金属接触为所述多晶硅层的引出电极。