阻变存储器存储单元的制备方法

摘要

本发明具体涉及一种阻变存储器存储单元及其制备方法，属于非挥发性存储器件技术领域。为解决小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，本发明提供一种阻变存储器存储单元，包括单晶硅衬底以及阻变存储材料层，所述存储单元还包括肖特基二极管；所述肖特基二极管作为开关及电流驱动单元设置于所述单晶硅衬底与所述阻变存储材料层之间。其中阻变存储材料层和肖特基二极管都可以用传统CMOS工艺来制备。该1D-1R结构可有效克服在小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，可有效应用于阻变非挥发性存储器单元中，获得具有足够驱动电流、高密度、高可靠性阻变存储单元，且其制备方法是与传统CMOS工艺相兼容。

主权项

一种阻变存储器存储单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底上生成第一层二氧化硅，然后对所述衬底制备突出于所述衬底表面的单晶硅台面；步骤2：在所述衬底上生成第二层二氧化硅，并去除所述单晶硅台面上平面及侧壁上的二氧化硅；步骤3：在所述衬底上生成铂层，然后形成硅化铂‑硅肖特基二极管；步骤4：在所述衬底上生成第三层二氧化硅，并研磨所述第三层二氧化硅直至露出硅化铂表面；步骤5：在所述衬底上依次沉积下电极层、阻变氧化层及上电极层，获得所述存储器存储单元；步骤6：在所述衬底的背面注入掺杂元素，溅射铝、金、钨或/和钽金属并形成欧姆接触，作为肖特基二极管引出电极。