BCD工艺中的自对准高压CMOS制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种BCD工艺中的自对准高压CMOS制造工艺方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上形成掩埋层；第二步，在掩埋层上生长外延层；第三步，在外延层上形成深槽隔离；第四步，形成低压P型阱；第五步，生长栅氧化层，再淀积多晶硅层；第六步，通过BODY的光罩用光刻胶定义出需要BODY注入的地方，形成BODY区，通过干法刻蚀去除掉定义区域的多晶硅，再用自对准大角度的注入进行BODY区注入；第七步，定义栅极区域，形成多晶硅栅极；第八步，在BODY区进行N+注入，形成N+阱，在多晶硅栅极侧壁形成侧壁氧化膜；第九步，后续工艺。本发明可以满足对可以耐瞬间的高压CMOS器件的需求，提高BCD工艺的竞争力。

主权项

一种BCD工艺中的自对准高压CMOS制造工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上定义掩埋层区域，并进行注入形成掩埋层；第二步，在掩埋层上生长外延层；第三步，在外延层上形成深槽隔离；第四步，定义低压P型阱区域，并做注入，形成低压P型阱；第五步，生长栅氧化层，再淀积多晶硅层；第六步，通过BODY的光罩用光刻胶定义出需要BODY注入的地方，形成BODY区，通过干法刻蚀去除掉定义区域的多晶硅，再用自对准大角度的注入进行BODY区注入；第七步，定义栅极区域，形成多晶硅栅极；第八步，在BODY区进行N+注入，形成N+阱，在多晶硅栅极侧壁形成侧壁氧化膜；第九步，后续工艺包括常规的金属钝化、合金工艺。