发明名称 双镶嵌结构的形成方法
摘要 一种双镶嵌结构的制造方法,包括:提供表面具有导电区域的衬底,所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有通孔,所述通孔位置与所述导电区域位置相对应;在所述层间介质层上和所述通孔内形成第一抗反射层,对接触通孔进行填充;在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层,其中,所述第二抗反射层的黏度大于第一抗反射层;对所述第二抗反射层、第一抗反射层和层间介质层进行沟槽的图形化,刻蚀所述第二抗反射层、第一抗反射层和部分所述层间介质层形成沟槽,所述沟槽底部至少与一个通孔连通;在所述沟槽和通孔中填充导电材料;对导电材料进行平坦化处理,形成双镶嵌结构。
申请公布号 CN102097361B 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN200910201178.1 申请日期 2009.12.15
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 田彬;安辉
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种双镶嵌结构的形成方法,其特征在于,包括:提供表面具有导电区域的衬底,所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有通孔,所述通孔包括通孔密集区和通孔孤立区,所述通孔位置与所述导电区域位置相对应;在所述层间介质层上和所述通孔内形成第一抗反射层,对接触通孔进行填充,第一抗反射层填充满所述通孔,所述第一抗反射层的黏度范围为1.50厘泊~1.70厘泊;在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层,其中,所述第二抗反射层的黏度大于第一抗反射层,其黏度范围为1.90厘泊~2.10厘泊;对所述第二抗反射层、第一抗反射层和层间介质层进行沟槽的图形化,刻蚀所述第二抗反射层、第一抗反射层和部分所述层间介质层形成沟槽,所述沟槽底部至少与一个通孔连通。
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