发明名称 |
双镶嵌结构的形成方法 |
摘要 |
一种双镶嵌结构的制造方法,包括:提供表面具有导电区域的衬底,所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有通孔,所述通孔位置与所述导电区域位置相对应;在所述层间介质层上和所述通孔内形成第一抗反射层,对接触通孔进行填充;在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层,其中,所述第二抗反射层的黏度大于第一抗反射层;对所述第二抗反射层、第一抗反射层和层间介质层进行沟槽的图形化,刻蚀所述第二抗反射层、第一抗反射层和部分所述层间介质层形成沟槽,所述沟槽底部至少与一个通孔连通;在所述沟槽和通孔中填充导电材料;对导电材料进行平坦化处理,形成双镶嵌结构。 |
申请公布号 |
CN102097361B |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN200910201178.1 |
申请日期 |
2009.12.15 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
田彬;安辉 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种双镶嵌结构的形成方法,其特征在于,包括:提供表面具有导电区域的衬底,所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有通孔,所述通孔包括通孔密集区和通孔孤立区,所述通孔位置与所述导电区域位置相对应;在所述层间介质层上和所述通孔内形成第一抗反射层,对接触通孔进行填充,第一抗反射层填充满所述通孔,所述第一抗反射层的黏度范围为1.50厘泊~1.70厘泊;在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层,其中,所述第二抗反射层的黏度大于第一抗反射层,其黏度范围为1.90厘泊~2.10厘泊;对所述第二抗反射层、第一抗反射层和层间介质层进行沟槽的图形化,刻蚀所述第二抗反射层、第一抗反射层和部分所述层间介质层形成沟槽,所述沟槽底部至少与一个通孔连通。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |