静电放电保护结构及半导体设备

摘要

本发明提供一种静电放电保护结构，所述静电放电保护结构设置于静电敏感元件和外围电路之间，所述静电放电保护结构还与放电总线相连；其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线，所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路，所述静电放电导线与所述放电总线相连，所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离，所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。本发明所述静电放电保护结构具有结构简单、静电防护效果好、没有寄生电流、寄生电容小、噪声小等优点。

主权项

一种静电放电保护结构，设置于静电敏感元件和外围电路之间，所述静电放电保护结构还与放电总线相连；其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线，所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路，所述静电放电导线与所述放电总线相连，所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离，所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。