| 发明名称 | 淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103295890A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201310208388.X | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 黄如;林猛;安霞;黎明;云全新;李志强;李敏;刘朋强;张兴 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到高K栅介质中，高K栅介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||