纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法

摘要

本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列由多个纳米晶浮栅存储器组成，并且还包括多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，每个存储单元均连接一条位线和一条字线，且所述多条位线与所述多条字线相互垂直排列；当对所选定存储单元进行编程时，将所选定存储单元连接的位线之前的第二条位线接地；对所选定存储单元连接的位线之前的第一条位线施加低电压Vl；对所选定存储单元连接的位线施加高电压Vh。本发明在电子完成第一次加速以后，还可进行第二次加速，由此，可以获得更高的能量进行编程，从而提高编程效率，增加了存储窗口，让更多的电子到达存储介质里面。

主权项

一种纳米晶浮栅存储器阵列的编程方法，所述阵列包括多个纳米晶浮栅存储器、多条相互平行排列的位线和多条相互平行排列的字线，其中，每个纳米晶浮栅存储器包括一个存储单元，且每个存储单元连接一条位线和一条字线，所述多条位线与所述多条字线相互垂直排列，其特征在于：当对所选定存储单元进行编程时，该方法包括如下步骤：将与所选定存储单元连接的位线之前的第二条位线接地；对与所选定存储单元连接的位线之前的第一条位线施加电压Vl；对与所选定存储单元连接的位线施加电压Vh；所述Vl小于Vh。