发明名称 |
一种负磁导率超材料 |
摘要 |
本发明提供一种负磁导率超材料,包括至少两层具有负磁导率的超材料层,所述超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板上的多个人造微结构组成第一人造微结构层,所述超材料还包括一层埋容材料层,所述埋容材料层的两侧面分别设置有多个人造微结构阵列排布的第二人造微结构层,两层所述第二人造微结构层分别与所述超材料层通过半固化片粘结层叠。本发明将埋容材料嵌入超材料,降低了超材料的厚度,增大了超材料的介电常数,大大降低了超材料磁导率为负的谐振频率,具有广阔的发展前景。 |
申请公布号 |
CN103296431A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201210050232.9 |
申请日期 |
2012.02.29 |
申请人 |
深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;赵治亚;郭洁;刘豫青;马伟涛 |
分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种负磁导率超材料,包括至少两层具有负磁导率的超材料层,所述超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板上的多个人造微结构组成第一人造微结构层,其特征在于,所述超材料还包括一埋容材料层,所述埋容材料层的两侧面分别设置有多个人造微结构阵列排布的第二人造微结构层,两层所述第二人造微结构层分别与所述超材料层通过半固化片粘结层叠。 |
地址 |
518034 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B |