| 发明名称 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。本发明制备的InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位是441nm，半峰宽24.3nm，显示出很好的光学性能。本发明还公开了上述InGaN/GaN多量子阱的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱结晶质量好，光学性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103296159A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201310221246.7 | 申请日期 | 2013.05.31 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。 | ||
| 地址 | 510641 广东省广州市天河区五山路381号 | ||