阻变存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种可变存储器件及其制造方法。所述可变存储器件包括可变电阻层，所述可变电阻层形成在形成有下结构的半导体衬底上；下电极，所述下电极形成在可变电阻层上；开关单元，所述开关单元形成在下电极上；以及上电极，所述上电极形成在开关单元上。

主权项

一种阻变存储器件，包括：可变电阻层，所述可变电阻层形成在半导体衬底上；下电极，所述下电极形成在所述可变电阻层上；开关单元，所述开关单元形成在所述下电极上；以及上电极，所述上电极形成在所述开关单元上。