等离子体损伤检测结构、其检测方法及其形成方法

摘要

本发明提供一种等离子体损伤检测结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层上的控制栅和浮栅；位于所述控制栅与浮栅之间衬底内的第三离子掺杂区；位于所述控制栅的另一侧的衬底内的第一离子掺杂区；位于所述浮栅的另一侧的衬底内的第二离子掺杂区；与所述浮栅进行电连接的导体。本发明还提供一种所述检测结构的测试方法及其结构的形成方法。本发明通过在控制栅施加工作电压，开启第一离子掺杂区与第三离子掺杂区间的沟道，因为电场耦合效应，第三离子掺杂区中靠近浮栅一侧的具有电位，增强对浮栅上电荷的电场力，形成明显的漏电流变化，增加了检测结构的灵敏度。

主权项

一种等离子体损伤检测结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层上的分立的控制栅和浮栅；位于所述控制栅与浮栅之间衬底内作为共用掺杂区的第三离子掺杂区；位于所述控制栅的另一侧的衬底内的第一离子掺杂区；位于所述浮栅的另一侧的衬底内的第二离子掺杂区；所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区、第三离子掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述控制栅、第一离子掺杂区及第二离子掺杂区形成控制栅晶体管，所述浮栅、第三离子掺杂区及第二离子掺杂区形成浮栅晶体管；与所述浮栅进行电连接的导体。