SONOS工艺中5伏PMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS工艺中5伏PMOS器件，PMOS器件的P型源漏区的在靠近浅槽场氧一侧的结深要比靠近N型沟道区一侧的结深要深。本发明还公开了一种SONOS工艺中5伏PMOS器件的制造方法。本发明能改善PMOS器件的源/漏PN结的形貌，从而能提高5伏PMOS器件的击穿电压，并进一步能提高SONOS闪存的信息擦除和写入的操作电压、提高操作速度、改善SONOS闪存的性能、减少SONOS闪存的测试时间、节约测试成本。

主权项

一种SONOS工艺中5伏PMOS器件，形成于硅衬底上，有源区通过浅槽场氧隔离，PMOS器件包括：形成于所述有源区上的栅极结构，形成于所述栅极结构两侧、所述有源区中的P型源漏区、以及形成于所述栅极结构底部、所述P型源漏区中间的所述有源区中的N型沟道区；其特征在于：所述P型源漏区的在靠近所述浅槽场氧一侧的结深要比靠近所述N型沟道区一侧的结深要深；所述P型源漏区由自对准源漏区和非自对准源漏区组成；所述自对准源漏区通过自对准工艺形成于所述N型沟道区边缘到所述浅槽场氧边缘间；所述非自对准源漏区的形成区域通过光刻工艺定义，所述非自对准源漏区的一侧和所述浅槽场氧边缘相邻接、所述非自对准源漏区的另一侧和所述沟道区边缘相隔一横向距离；所述非自对准源漏区的结深大于所述自对准源漏区的结深。