发明名称 一种太阳电池吸收层薄膜材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种太阳电池吸收层薄膜材料的制备方法。先在基底上磁控溅射钼金属作为前驱体,再采用三电极电化学体系沉积Cu3Bi合金层薄膜,作为预制膜,最后将金属预制膜Cu3Bi硫化及退火处理,得到Cu3BiS3(CBS)薄膜。该吸收层薄膜材料为直接带隙材料,其禁带宽度接近1.24eV,接近单结太阳能电池的最优带隙,在可见光区光吸收系数>105cm-1。
申请公布号 CN102447009B 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201110409449.X 申请日期 2011.12.12
申请人 云南师范大学 发明人 杨培志;自兴发
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 昆明慧翔专利事务所 53112 代理人 程韵波;周一康
主权项 一种太阳电池吸收层薄膜材料的制备方法,其特征在于:采用射频磁控溅射方法,先在钠钙玻璃基底上溅射钼金属层,然后采用一步电化学体系在钼金属层上沉积Cu3Bi合金层,最后将Cu3Bi合金层进行硫化及退火处理,得到Cu3BiS3吸收层,所述的制备方法按以下步骤实施(1)将基底尺寸为10mm×10mm的钠钙玻璃依次采用洗涤剂、蒸馏水、异丙酮及乙醇进行超声清洗10分钟,并用流量为0.1m3/h氮气干燥10分钟;(2)在基底上采用射频(RF)磁控溅射沉积1μm厚的钼层前驱体作为背电极;(3)去离子水和纯度为99.99%的金属盐配制电解液,该电解液为含9毫摩尔硝酸铋,30毫摩尔硫酸铜二水化合物,2摩尔氢氧化钠和0.2摩尔山梨醇的混合溶液;(4)采用三电极电化学体系,以用制备好的钼层前驱体作为工作电极、采用铂金片作为对电极、采用Ag|AgCl作为参比电极,在配制好的电解液中沉积Cu3Bi合金层,沉积过程在室温下无搅拌进行,采用Autolab20稳压器恒电位方式,相对于Ag|AgCl参比电极而言Cu3Bi合金沉积的化学电势为‑0.75V,沉积量通过监测沉积电荷量来控制,时间50‑60分钟,得到Cu3Bi合金预制膜;(5)用去离子水清洗合金预制膜,并用流量为0.1m3/h的氮气干燥30分钟;(6)将Cu3Bi合金预制膜放入石墨容器,并将其置入石英炉管内,往石英炉内充入1巴压强的氮气作为载气,再往石英炉内充入压力1Pa,纯度为99.99wt%,流量为0.1m3/h的硫蒸气,在450‑500℃炉温下加热30分钟,自然冷却至室温,得到2μm厚的Cu3BiS3薄膜成品。
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