形成瓶式沟槽以及瓶式沟槽电容器的方法

摘要

一种形成瓶式沟槽的方法及形成瓶式沟槽电容器的方法，形成瓶式沟槽的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有沟槽；在沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；以湿法刻蚀阻挡层为掩膜，湿法刻蚀沟槽形成瓶式沟槽；去除瓶式沟槽内的湿法刻蚀阻挡层。本发明形成氮化硅或二氧化硅湿法刻蚀阻挡层，从而不会存在金属污染的问题；利用原子层沉积方法或低压气相沉积方法形成氮化硅或二氧化硅湿法刻蚀阻挡层，因此可以解决现有技术中随着沟槽的开口越来越小，湿法刻蚀阻挡层的均匀性以及深度很难控制的技术问题；另外，可以在现有的反应腔内进行，扩大现有的反应腔的工艺能力。

主权项

一种形成瓶式沟槽的方法，其特征在于包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；所述在所述沟槽顶部至预定位置的侧壁形成湿法刻蚀阻挡层包括：在所述半导体衬底的表面、沟槽的侧壁以及底部形成第一衬垫层；形成第一衬垫层后，在所述沟槽内填充第一预定高度的光刻胶，该第一预定高度为沟槽底部至所述预定位置的距离；去除未被所述第一预定高度的光刻胶覆盖的第一衬垫层；去除沟槽内的第一预定高度的光刻胶；在去除沟槽内的所述第一预定高度的光刻胶后，形成第二衬垫层，所述第二衬垫层覆盖所述半导体衬底的表面、沟槽的侧壁，并在所述沟槽内形成封口；在形成封口后，在所述沟槽内填充第二预定高度的光刻胶，该第二预定高度为封口底部至所述预定位置的距离；以所述第二预定高度的光刻胶为掩膜，去除该第二预定高度的光刻胶之上的第二衬垫层；去除所述第二预定高度的光刻胶；在去除所述第二预定高度的光刻胶后，在所述半导体衬底的表面及沟槽内形成湿法刻蚀阻挡层，所述湿法刻蚀阻挡层覆盖所述半导体衬底表面、所述封口以及封口上的沟槽侧壁，所述湿法刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或二氧化硅；去除所述半导体衬底表面以及覆盖所述封口的湿法刻蚀阻挡层；以湿法刻蚀阻挡层为掩膜，湿法刻蚀去除沟槽内的第一衬垫层和第二衬 垫层；去除沟槽内的第一衬垫层和第二衬垫层后，以所述湿法刻蚀阻挡层为掩膜，湿法刻蚀所述沟槽形成瓶式沟槽；去除所述瓶式沟槽内的湿法刻蚀阻挡层。