发明名称 |
氧化物烧结体以及溅射标靶 |
摘要 |
提供一种氧化物烧结体,其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造,并兼备高的导电性和相对密度,具有高的载流子迁移率,且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体,对所述氧化物烧结体进行X线衍射,设2θ=34°附近的XRD峰值的强度由A表示,设2θ=31°附近的XRD峰值的强度由B表示,设2θ=35°附近的XRD峰值的强度由C表示,设2θ=26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时,满足下述式(1):[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。 |
申请公布号 |
CN103298767A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201280005106.X |
申请日期 |
2012.02.09 |
申请人 |
株式会社钢臂功科研 |
发明人 |
金丸守贺;岩崎祐纪;松井实;后藤裕史;南部旭 |
分类号 |
C04B35/453(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/453(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
洪秀川 |
主权项 |
一种氧化物烧结体,其是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的,其特征在于,当对所述氧化物烧结体进行X线衍射,设2θ=34°附近的XRD峰值的强度由A表示,设2θ=31°附近的XRD峰值的强度由B表示,设2θ=35°附近的XRD峰值的强度由C表示,设2θ=26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时,满足下述式(1):[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。 |
地址 |
日本国兵库县 |