| 发明名称 | 用于半导体器件的栅极结构 | ||
| 摘要 | 描述了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括具有鳍片的衬底，该鳍片具有顶面以及第一横向侧壁和第二横向侧壁。硬掩模层可以形成在鳍片的顶面上(例如，提供双栅极器件)。栅极介电层和功函数金属层形成在鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上。硅化物层形成在位于鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上的功函数金属层上。硅化物层可以是完全硅化层并且可以对设置在鳍片中的器件的沟道区提供应力。本发明提供用于半导体器件的栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103296086A | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
| 申请号 | CN201210591528.1 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李宗霖;袁锋;叶致锴;赖韦仁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，包括第一鳍片，其中，所述第一鳍片包括顶面以及第一横向侧壁和第二横向侧壁；硬掩模层，形成在所述第一鳍片的所述顶面上；栅极介电层，形成在所述硬掩模层以及所述第一鳍片的所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁上；功函数金属层，形成在位于所述第一鳍片的所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁上的所述栅极介电层上；以及硅化物层，形成在位于所述第一鳍片的所述第一横向侧壁和所述第二横向侧壁上的所述功函数金属层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||