发明名称 |
半导体结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一形成于衬底中的第二导电型的阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化物、一第一介电层以及一第二介电层。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区中。场氧化物形成于阱区的表面区域,且位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第一介电层形成于阱区的表面区域,且覆盖场氧化物的一边缘部分,第一介电层具有一第一厚度。第二介电层形成于阱区的表面区域,第二介电层具有一第二厚度。第二厚度小于第一厚度。 |
申请公布号 |
CN103296060A |
申请公布日期 |
2013.09.11 |
申请号 |
CN201210043382.7 |
申请日期 |
2012.02.24 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
金宥宪;徐志嘉;黄胤富 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种半导体结构,包括:一第一导电型的衬底;一第二导电型的阱区,形成于该衬底中;一第一掺杂区与一第二掺杂区,形成于该阱区中;一场氧化物,形成于该阱区的表面区域,且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间;一第一介电层,形成于该阱区的表面区域,且覆盖该场氧化物的一边缘部分,该第一介电层具有一第一厚度;以及一第二介电层,形成于该阱区的表面区域,该第二介电层具有一第二厚度,该第二厚度小于该第一厚度。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |