鳍轮廓结构及其制造方法

摘要

一种FinFET器件可以包括与第二半导体鳍横向相邻的第一半导体鳍。第一半导体鳍和第二半导体鳍可以具有用于使缺陷和变形最少的轮廓。第一半导体鳍包括上部和下部。第一半导体鳍的下部可以具有在底部比第一半导体鳍的上部更宽的扩口轮廓。第二半导体鳍的下部可以具有比第二半导体鳍的上部更宽、但是比第一半导体鳍的下部更小的扩口轮廓。

主权项

一种FinFET器件，包括：第一半导体鳍，位于半导体衬底上方，其中，所述第一半导体鳍包括：第一上部，具有第一宽度；以及第一下部，位于所述第一上部下方，所述第一下部具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及第二半导体鳍，位于所述半导体衬底上方，其中，所述第二半导体鳍与所述第一半导体鳍横向相邻，所述第二半导体鳍包括：第二上部，具有第三宽度；以及第二下部，位于所述第二上部下方，所述第二下部具有第四宽度，所述第四宽度大于所述第三宽度，并且所述第四宽度小于所述第二宽度。