双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及双极晶体管及其制造方法。其中，双极晶体管的制造方法包括步骤：在半导体衬底上形成有源区；在所述有源区上形成覆盖或部分覆盖基区的基极；对有源区的暴露部分进行垂直轻掺杂；对有源区的暴露部分进行倾斜重掺杂。与现有技术相比，本发明对发射区和集电区先进行垂直轻掺杂再进行倾斜重掺杂，可以一次性形成与基区接触的重掺杂的发射区，以及在基区和重掺杂的集电区之间的轻掺杂的缓冲区，从而可以通过控制重掺杂角度来控制发射区和集电区之间的击穿电压。

主权项

一种双极晶体管，包括形成在半导体衬底上的一根圆柱形的半导体材料柱和由金属形成的金属基极，所述半导体材料柱从一端到另一端依次是发射区、基区和集电区，其特征在于：所述集电区和基区之间还包括缓冲区，所述缓冲区的掺杂类型与集电区相同，但掺杂浓度小于集电区；所述金属基极内设有通孔，所述基区位于所述通孔内，所述金属基极暴露所述发射区和所述集电区；所述缓冲区与集电区之间的界面以及所述发射区与基区的界面倾斜于所述半导体衬底表面；所述半导体衬底为SOI衬底,包括底层硅衬底、位于底层硅衬底上的埋入电介质层和位于所述埋入电介质层上的第一半导体材料层，所述半导体材料柱形成于所述SOI衬底的第一半导体材料层。