发明名称 | 一种磁控溅射靶罩 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种磁控溅射靶罩,属于高真空磁控溅射镀膜领域。在磁控溅射靶上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩,磁控溅射靶罩的上端开口,开口端对准沉积基片。磁控溅射靶和沉积基片放置在溅射室内,溅射室上有可以观察溅射情况的观察窗。磁控溅射靶罩通过螺纹与磁控溅射靶连接,磁控溅射靶罩的上端与沉积基片始终保持1~2mm的距离,以便观察溅射时能否起辉。该靶材罩能够将靶材和基片之间的空间区域封闭起来,并有效阻断沉积粒子向溅射室内壁和观察窗的沉积,降低溅射室和观察窗的污染。 | ||
申请公布号 | CN203187747U | 申请公布日期 | 2013.09.11 |
申请号 | CN201320172332.9 | 申请日期 | 2013.04.09 |
申请人 | 昆明理工大学 | 发明人 | 孟彬;孔明;刘肖肖;徐定能 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种磁控溅射靶罩,其特征在于:在磁控溅射靶(4)上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩(2),磁控溅射靶罩(2)的上端开口,开口端对准沉积基片(1)。 | ||
地址 | 650093 云南省昆明市五华区学府路253号 |