发明名称 一种磁控溅射靶罩
摘要 本实用新型涉及一种磁控溅射靶罩,属于高真空磁控溅射镀膜领域。在磁控溅射靶上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩,磁控溅射靶罩的上端开口,开口端对准沉积基片。磁控溅射靶和沉积基片放置在溅射室内,溅射室上有可以观察溅射情况的观察窗。磁控溅射靶罩通过螺纹与磁控溅射靶连接,磁控溅射靶罩的上端与沉积基片始终保持1~2mm的距离,以便观察溅射时能否起辉。该靶材罩能够将靶材和基片之间的空间区域封闭起来,并有效阻断沉积粒子向溅射室内壁和观察窗的沉积,降低溅射室和观察窗的污染。
申请公布号 CN203187747U 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201320172332.9 申请日期 2013.04.09
申请人 昆明理工大学 发明人 孟彬;孔明;刘肖肖;徐定能
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种磁控溅射靶罩,其特征在于:在磁控溅射靶(4)上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩(2),磁控溅射靶罩(2)的上端开口,开口端对准沉积基片(1)。
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