发明名称 USING METAL/METAL NITRIDE BILAYERS AS GATE ELECTRODES IN SELF-ALIGNED AGGRESSIVELY SCALED CMOS DEVICES
摘要
申请公布号 EP1872407(B1) 申请公布日期 2013.09.11
申请号 EP20060750529 申请日期 2006.04.18
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 CARTIER, EDUARD, A.;COPEL, MATTHEW, W.;DORIS, BRUCE, B.;JAMMY, RAJARAO;KIM, YOUNG-HEE;LINDER, BARRY, P.;NARAYANAN, VIJAY;PARUCHURI, VAMSI, K.;WONG, KEITH, KWONG, HON
分类号 H01L21/84;H01L21/8238;H01L27/092 主分类号 H01L21/84
代理机构 代理人
主权项
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